PMBT3904VS 原装NXP SOT-666 40 V,200 mA NPN型开关晶体管

collector-emitter voltage：

40 V

collector current：

200 mA

DC current gain：

300

storage temperature：

−65 +150 °C

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PMBT3904VS,115 特点

PMBT3904VS,115是晶体管(BJT) - 阵列系列分离式半导体产品，是一种表面贴装式器件，采用SS 迷你型 6 (SOT-666)封装方式，主要包装方式为带卷 (TR)式包装。

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
晶体管类型:2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（）:200mA
电压 - 集电极发射极击穿（）:40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）:300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（）:-

在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA, 1V
功率 - :360mW
频率 - 转换:300MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SS 迷你型 6 (SOT-666)
包装:带卷 (TR)

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